受益于AI等相(xiàng)關新興領域的應用以及“東數西算”政策下雲計(jì)算、超算中心的蓬勃發展，數據計(jì)算、存儲需求呈幾何級增長，算力需求持續釋放(fàng)帶動算力基礎設施數據中心産業迎來(lái)增長新周期。在AI芯片算力與能耗大(dà)幅提升的背景下，芯片散熱(rè)問(wèn)題已經不再是一個獨立的學科(kē)，而是更加趨近于系統性工(gōng)程，未來(lái)AI芯片的天花闆或許真的取決于散熱(rè)技術(shù)的發展水平。
算力的提升将冷(lěng)卻方式逐步由風(fēng)冷(lěng)轉變爲液冷(lěng)。數據中心是衆所周知的行業耗能大(dà)戶，散熱(rè)能耗占比超40%，數據中心朝着低碳化、快(kuài)速部署、高密化、儲備一體(tǐ)、分(fēn)布式制冷(lěng)等趨勢發展。
微生(shēng)物滋生(shēng)+腐蝕現象
衆所周知，使用水基溶液作(zuò)爲冷(lěng)卻液，金屬組件(jiàn)必然存在腐蝕。腐蝕速率可(kě)以被減緩、抑制，但(dàn)是無法完全阻止，尤其是對合金類金屬物料。
液冷(lěng)系統中常見(jiàn)的腐蝕類型主要有：原電池腐蝕、沖刷腐蝕、應力腐蝕、點蝕、析鋅腐蝕。其中，沖刷腐蝕要求系統設計(jì)應控制流速(當然流速也不宜過低，避免沉積)；應力腐蝕要求制造過程中要有應力消除工(gōng)藝；析鋅腐蝕要求系統應避免使用黃(huáng)銅物料；此三種腐蝕控制都(dōu)基本與冷(lěng)卻液本體(tǐ)無關。原電池腐蝕要求冷(lěng)卻液應有原電池腐蝕抑制能力；點蝕要求避免冷(lěng)卻液含有鹵素離(lí)子；這兩種腐蝕類型則需要通過冷(lěng)卻液設計(jì)來(lái)抑制。
介質純化模塊(MPM) 可(kě)以實時對系統内部分(fēn)冷(lěng)卻液進行純化，去(qù)除其中的鹽類等極性物質，使冷(lěng)卻液始終保持在超低電導率的純水狀态，這也同時意味着冷(lěng)卻液中缺乏微生(shēng)物生(shēng)存的食物。MPM并不直接對微生(shēng)物産生(shēng)化學作(zuò)用，隻是對微生(shēng)物的基本生(shēng)存需求進行阻斷，因此不會導緻微生(shēng)物抗性出現。而且MPM的失效監控非常簡單，隻需要對冷(lěng)卻液的電導率進行監控，并在系統設定更換告警值。
